檢索結果:共7筆資料 檢索策略: "transition metal".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="化學氣相沉積"
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近年來,過渡金屬二硫化物因其具有半導體特性、可調遷移率和可撓性等特性而引起了廣泛的關注。為了提供大規模商業生產,有效控制生長參數將是實現大尺寸和層數可調控之二維材料的關鍵。本次研究中,我們嘗試使用氯…
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本論文主要聚焦在二硫化鉿的材料成長及其光學、電子元件性質等上應用。因第四族 過渡金屬(如鋯和鉿)二硫化物具有獨特的特性,如電子遷移率與傳統的第六族過渡金 屬(鉬和鎢等)二硫化物相比,約為其理論值的5…
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本論文利用熱化學氣相沉積系統在藍寶石基板上成長單層二硒化鎢,由光學顯微鏡及掃描式電子顯微鏡觀察樣品的表面型態,接著利用原子力顯微鏡和拉曼散射光譜確認樣品及厚度,再用X光電子能譜儀確認成分比例. 由於…
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本論文利用化學氣相沉積法成長大面積的n型二硫化鉬,透過拉曼光譜儀、光激發螢光與原子力顯微鏡進行分析,結果顯示此二硫化鉬薄膜為單層直接能隙的半導體. 然而氧電漿處理為最直接且能有效的改變二硫化鉬半…
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二維過渡金屬二硫化物在近年來備受矚目,因其半導體的特性以及身為二維材料在厚度上可以達到原子級,被業界認為具有延續摩爾定律的潛力。作為第四族過渡金屬二硫化物,二硫化鋯的研究相對於二硫化鉬、二硫化鎢等仍…
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二維層狀半導體第六族過渡金屬硫族化物由於具備極大延續摩爾定律潛力,近年來廣受關注。為了達到大規模商業化生產,生長高品質與大面積第六族過渡金屬硫族化物薄膜成為重要議題之一。因此,本研究利用化學氣相沉積…
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本實驗以不鏽鋼基板 (SUS304)為基底,並在其上成長奈米碳管陣列,而後利用熱化學氣相沉積的方式合成出二硫化鉬,並將其披覆於奈米碳管陣列上,將之作為電雙層電容器之電極材料。奈米碳管本身不僅具有高導…